Компания Silicon Motion Technology создала контроллер памяти UFS 2.1, благодаря которому производители смогут оснащать смартфоны и планшеты высокоскоростными накопителями объёмом 512 гигабайт.

Скорость накопителей UFS в будущем возрастёт с нынешних 19 тысяч IOPS на чтение и 14 тысяч IOPS на запись до 50 и 40 тысяч IOPS. Сейчас такой тип памяти используется по большей части во флагманских смартфонах, а в недорогие устройства установлена относительно медленная память eMMSC.

Silicon Motion Technology начнёт массовый выпуск контроллеров UFS 2.1 через несколько месяцев. Тестовые образцы были предоставлены нескольким производителям памяти. Появление первых смартфонов с 512 гигабайтами постоянной памяти стоит ждать не ранее 2018 года. Сейчас максимальный объём накопителя в мобильных устройствах составляет 256 гигабайт. На некоторых смартфонах её можно увеличить картой памяти microSD, но её скорость гораздо ниже, чем у микросхем eMMSC и тем более UFC.