Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства модулей флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, предназначенных для смартфонов и планшетов. Они построены на базе новейших микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит.
Производитель отмечает, что новые модули флэш-памяти по размерам чипа абсолютно идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ (в них использовали микросхемы 48-слойной флэш-памяти плотностью 256 Гбит), выпущенным в 2016 году. Менее чем за два года инженерам Samsung удалось вдвое повысить плотность хранения данных.
Такие накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения контента. Например, смартфон с 512 ГБ флеш-памяти сможет записать 130 видеороликов в разрешении 4K длительностью около 10 минут каждый.
Скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, а последовательной записи — 255 МБ/с. Так, файл размером 5 ГБ можно будет скопировать всего за 6 секунд, что в восемь раз быстрее, чем при копировании с самой современной карты памяти microSD.Можно предположить, что первыми смартфонами с 512 ГБ пользовательского пространства станут Galaxy S9 и Galaxy S9+, выход которых ожидается в начале 2018 года.
Канал iG в Telegram — t.me/iguides_ru